IRLM210A |
RFQ for IRLM210A |
![]() |
| Technical/Catalog Information | IRLM210ATF |
| Vendor | Fairchild Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 770mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 390mA, 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Power - Max | 1.8W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Package / Case | SOT-223, SC-73, TO-261 (3 Leads + Tab) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | IRLM210ATF IRLM210ATF |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| IRLM210A | - | SOT-223 | `06+(pb-free) |
Features |
| Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200VLower RDS(ON) : 1.185 (Typ.) |
|
Symbol |
Characteristic |
Value |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDSS |
Drain-to-Source Voltage |
200 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
Continuous Drain Current (TC=25°C) |
0.77 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Continuous Drain Current (TC=100°C) |
0.62 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IDM |
Drain Current-Pulsed |
6.1 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EAS |
Single Pulsed Avalanche Energy |
27 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAR |
Avalanche Current |
0.77 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EAR |
Repetitive Avalanche Energy |
0.18 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt |
5.0 |
V/ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PD |
Total Power Dissipation (TC=25°C)* Linear Derating Factor |
1.8 0.014 |
W
W/°C SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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